| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 500mA/0.5A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 1KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 1KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 33 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1）内置启用偏置电阻器的逆变器电路无需连接外部输入电阻配置 2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许负偏置输入。他们也有优势，几乎完全消除了寄生效应。 3）只有开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113ZKT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113ZUT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113EKT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 33 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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DTD113ZK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 G21
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DTD113EK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 1k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 F21
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DTD113ZU 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 G21
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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