| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.2 W |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 500mA |
| 最小电流放大倍数 | 33 @50mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 200 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 33 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 200 MHz |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113ZKT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113ZUT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM DTD113EKT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 33 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTD113ZK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 G21
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTD113EK 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 1k SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 F21
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
DTD113ZU 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 1k 10k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 G21
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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