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EM6J1T2R
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EM6J1T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
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EM6J1T2R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-563-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.8 Ω
极性Dual P-Channel
功耗0.15 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)20 V
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)115pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间17 ns
工作温度(Max)150 ℃
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EM6J1T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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EM6J1T2R 数据手册

EM6J1T2R 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
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