Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > EM6M2T2R Datasheet 文档
EM6M2T2R
来自 AiPCBA

EM6M2T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-563-6
描述:N & P沟道 150 mW 20 V 1 Ohm 表面贴装 1.2 V 驱动 Mosfet - SOT-563
PDF文件:EM6M2T2R 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
EM6M2T2R 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

EM6M2T2R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-563-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.7 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗150 mW
阈值电压0.3 V, 0.3 V
漏源极电压(Vds)20 V
输入电容值(Ciss)25pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
查看数据手册 >

EM6M2T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.7 mm
宽度1.3 mm
高度0.45 mm
工作温度150℃ (TJ)
查看数据手册 >

EM6M2T2R 数据手册

EM6M2T2R 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 1.05 MByte
EM6M2T2R 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
19 页 / 3.65 MByte

EM6M2T2 数据手册

EM6M2T2R 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N & P沟道 150 mW 20 V 1 Ohm 表面贴装 1.2 V 驱动 Mosfet - SOT-563
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet