| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-553-5 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 功耗 | 357 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 35 |
| 最大电流放大倍数 | 35 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 额定电压 | 50 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.7 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.6 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 | -50V/50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 | -50V/50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 | -100mA/100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 60 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Features •Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors •NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •These are Pb−Free Devices 描述与应用 | 特点 •双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 •NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计吗？ •缩小板级空间 •减少元件数量 •这些都是Pb-Free设备
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
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EMC3DXV5T5 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 60 500mW/0.5W SOT-563 标记U3K 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
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