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EMD6T2R
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EMD6T2R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:双极性晶体管
封装:EMT-6
描述:NPN PNP复合数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
PDF文件:EMD6T2R 数据手册 (10 页)典型应用电路图在9 页
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焊盘图
引脚图
产品图
EMD6T2R 数据手册 (10 页)
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EMD6T2R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)50.0 V
额定电流100 mA
封装EMT-6
额定功率0.15 W
通道数2 Channel
极性NPN+PNP
功耗0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)50 V
集电极最大允许电流100mA
最小电流放大倍数100 @1mA, 5V
额定功率(Max)150 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
增益带宽250 MHz
耗散功率(Max)150 mW
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EMD6T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度1.2 mm
高度0.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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EMD6T2R 数据手册

EMD6T2R 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
10 页 / 1.81 MByte
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.26 MByte
EMD6T2R 其他参考文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1 页 / 0.12 MByte

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NPN PNP复合数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
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