类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 5 Pin |
额定电压(DC) | 6.10 V |
工作电压 | 6.1 V |
电容 | 7.5 pF |
封装 | SOT-323-5 |
额定功率 | 25.0 W |
击穿电压 | 7.20 V |
电路数 | 4 Circuit |
针脚数 | 5 Position |
功耗 | 25 W |
测试电流 | 1 mA |
脉冲峰值功率 | 25 W |
最小反向击穿电压 | 6.1 V |
击穿电压 | 6.1 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.2 mm |
宽度 | 1.35 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 25W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Quad array for data protection;Features • 4 unidirectional TRANSIL™ functions. • ESD Protection: IEC61000-4-2 level 4 • Breakdown voltage VBR = 6.1V min • Low leakage current < 1µA @ 3 Volts • Low capacitance device 描述与应用| 四阵列的数据保护;特性 • 4通道单向TRANSIL™功能。 • ESD保护:IEC61000-4-2第4级 • 击穿电压VBR=6.1V6.1V最小 • 低泄漏电流<1μA@3伏特 • 低电容装置
ST Microelectronics(意法半导体)
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