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ESM3030DV
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ESM3030DV 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-227-4
描述:STMICROELECTRONICS  ESM3030DV  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 300 V, 225 W, 100 A, 300 hFE
PDF文件:ESM3030DV 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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ESM3030DV 数据手册 (8 页)
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ESM3030DV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流100 A
封装SOT-227-4
负载电流100 A
针脚数4 Position
极性NPN
功耗225 W
击穿电压(集电极-发射极)300 V
集电极最大允许电流100A
最小电流放大倍数300 @85A, 5V
额定功率(Max)225 W
直流电流增益(hFE)300
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225000 mW
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ESM3030DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.5 mm
高度9.1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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ESM3030DV 数据手册

ESM3030DV 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.38 MByte
ESM3030DV 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.11 MByte
ESM3030DV 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 0.31 MByte

ESM3030 数据手册

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STMICROELECTRONICS  ESM3030DV  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 300 V, 225 W, 100 A, 300 hFE
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