集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 35-230 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features Resistors Built-in Type Complementary to FN1A4M 描述与应用| 特性 内置电阻型 对管是FN1A4M
NEC（日本电气）
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NEC（日本电气）
FA1A4M 带阻NPN三极管 60V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-230 SOT-23/SC-59 marking/标记 L33
KEMET Corporation（基美）
KEMET FA1A474ZF 超级电容器, 0.47 F, 11 V, FA Series, +80%, -20%, 径向引线 新
NEC（日本电气）
FA1A4Z 带阻NPN三极管 60V 100mA/0.1A 10k 增益100-600 SOT-23/SC-59 marking/标记 L69
NEC（日本电气）
FA1A4P 带阻NPN三极管 60V 100mA/0.1A 10k 47k 增益85-370 SOT-23/SC-59 marking/标记 L24
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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