| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-3-3 |
| 漏源极电阻 | 220 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 167W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 2250pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 167W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Rail |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.97 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.96 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
PFC + PWM组合控制器 PFC+PWM Combination Controller
Fairchild（飞兆/仙童）
SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCA16N60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
