类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 4.60 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.95 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 54 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 600 pF |
栅电荷 | 16.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.60 A |
上升时间 | 40 ns |
输入电容值(Ciss) | 600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 54 W |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 54W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCD5N60TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 650 V, 950 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD5N60TM, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FCD5N60: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET,Easy Drive,600 V,4.6 A,950 mΩ,DPAK
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCD5N60TM_WS, 4.6 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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