| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-247-4 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 595000 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7160pF @400V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 595W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 22.74 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V
ON Semiconductor（安森美）
通孔 N 通道 650V 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH023N65S3_F155 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 75 A, 650 V, 0.0195 ohm, 10 V, 4.5 V 新
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