| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.058 Ω |
| 功耗 | 417 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5900pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 75 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 417000 mW |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.0515 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH47N60F_F133 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60N, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
Fairchild（飞兆/仙童）
SupreMOS® MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60NF, 46 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
Fairchild（飞兆/仙童）
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V
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