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FCMT299N60
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FCMT299N60 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:483AP
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:FCMT299N60 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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FCMT299N60 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装483AP
针脚数4 Position
漏源极电阻0.25 Ω
功耗125 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)1465pF @380V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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FCMT299N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FCMT299N60 数据手册

FCMT299N60 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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