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FCP067N65S3
来自 AiPCBA

FCP067N65S3 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP067N65S3  功率场效应管, MOSFET, SuperFET III, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V 新
PDF文件:FCP067N65S3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FCP067N65S3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.059 Ω
极性N-Channel
功耗312 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)44A
上升时间52 ns
输入电容值(Ciss)3090pF @400V(Vds)
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)312W (Tc)
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FCP067N65S3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
高度9.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FCP067N65S3 数据手册

FCP067N65S3 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.4 MByte
FCP067N65S3 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
19 页 / 1.07 MByte
FCP067N65S3 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
FCP067N65S3 开发手册
Fairchild（飞兆/仙童）
15 页 / 1.95 MByte
FCP067N65S3 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.45 MByte

FCP067N65 数据手册

FCP067N65S3 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, SuperFET III, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V
FCP067N65S3 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP067N65S3  功率场效应管, MOSFET, SuperFET III, N沟道, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V 新
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