| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.255 Ω |
| 功耗 | 94 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 上升时间 | 9.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1130pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 94 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 94 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.16 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 15.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
●与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
●这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild（飞兆/仙童）
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 600 V, 0.255 ohm, 10 V, 2 V
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