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FCP190N60
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FCP190N60 数据手册 (10 页)
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FCP190N60 技术参数、封装参数

FCP190N60 外形尺寸、物理参数、其它

FCP190N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.63 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 1.07 MByte

FCP190 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP190N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP190N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N65F, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.159 ohm, 10 V, 4.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,Easy Drive,650 V,17 A,190 mΩ,TO-220
Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
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