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FCP190N65S3R0
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FCP190N65S3R0 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-220-3
描述:FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
PDF文件:FCP190N65S3R0 数据手册 (3 页)
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FCP190N65S3R0 数据手册 (3 页)
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FCP190N65S3R0 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
功耗144 W
上升时间16 ns
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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FCP190N65S3R0 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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FCP190N65S3R0 数据手册

FCP190N65S3R0 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.7 MByte
FCP190N65S3R0 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.45 MByte
FCP190N65S3R0 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 1.07 MByte
FCP190N65S3R0 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.1 MByte
FCP190N65S3R0 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
19 页 / 1.07 MByte

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FCP190N65S3R0: 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
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