类型 | 描述 |
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封装 | TO-220-3 |
上升时间 | 16.7 ns |
输入电容值(Ciss) | 1950pF @100V(Vds) |
下降时间 | 4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 205000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
通孔 N 通道 600 V 22A(Tc) 205W(Tc) TO-220-3
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP22N60N. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V 22A TO-220
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
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