类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.32 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 36 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 1.15 nF |
栅电荷 | 40.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 650 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 98 ns |
输入电容值(Ciss) | 1490pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 36 W |
下降时间 | 56 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 36W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Rail |
长度 | 10.16 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.19 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild(飞兆/仙童)
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
SupreMOS® MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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