类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 150 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 39 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 3.08 nF |
栅电荷 | 98.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
上升时间 | 140 ns |
输入电容值(Ciss) | 3080pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 39 W |
下降时间 | 65 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 39 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.16 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.19 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
●利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PFC + PWM组合控制器 PFC+PWM Combination Controller
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