| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220F-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.22 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 36 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 36 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.36 mm |
| 宽度 | 16.07 mm |
| 高度 | 16.07 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
●利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
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