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FD150R12RT4
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FD150R12RT4 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:-
描述:INFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
PDF文件:FD150R12RT4 数据手册 (10 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
FD150R12RT4 数据手册 (10 页)
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FD150R12RT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数5 Pin
封装-
额定功率790 W
针脚数5 Position
极性N-Channel
功耗790 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)9.3nF @25V
额定功率(Max)790 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
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FD150R12RT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-40℃ ~ 150℃
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FD150R12RT4 数据手册

FD150R12RT4 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.65 MByte
FD150R12RT4 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FD150R12RT4 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FD150R12RT4 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte

FD150R12 数据手册

FD150R12RT4 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
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