类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 16.5 A |
封装 | TO-3-3 |
漏源极电阻 | 380 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 205W (Tc) |
输入电容 | 1.94 nF |
栅电荷 | 45.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 16.5 A |
上升时间 | 150 ns |
输入电容值(Ciss) | 1945pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 205 W |
耗散功率(Max) | 205W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.83 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.92 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA16N50_F109, 16.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件