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FDA38N30
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FDA38N30 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:FDA38N30 系列 300 V 0.085 Ohm 60 nC N 沟道 MOSFET - TO-3PN
PDF文件:FDA38N30 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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FDA38N30 数据手册 (8 页)
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FDA38N30 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.07 Ω
功耗312 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
上升时间110 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)312 W
下降时间54 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)312000 mW
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FDA38N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDA38N30 数据手册

FDA38N30 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 1.14 MByte
FDA38N30 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 1.2 MByte
FDA38N30 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.62 MByte

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