类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 48.0 A |
封装 | TO-3-3 |
额定功率 | 625 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.089 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 625 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 4.98 nF |
栅电荷 | 105 nC |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 48.0 A |
上升时间 | 360 ns |
输入电容值(Ciss) | 6460pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 625 W |
下降时间 | 230 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.6 mm |
宽度 | 4.8 mm |
高度 | 19.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA50N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
N-沟道 500 V 0.12 Ω 法兰安装 SMPS 功率 Mosfet TO-247
Cosel
散热片 HEAT SINK-VERTICAL DAS50 SERIES
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