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FDB024N04AL7
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FDB024N04AL7 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V
PDF文件:FDB024N04AL7 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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FDB024N04AL7 数据手册 (9 页)
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FDB024N04AL7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装TO-263-7
针脚数7 Position
漏源极电阻0.002 Ω
极性N-Channel
功耗214 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)219A
输入电容值(Ciss)7300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)214 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)214W (Tc)
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FDB024N04AL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.8 mm
宽度4.3 mm
高度9.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDB024N04AL7 数据手册

FDB024N04AL7 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 1 MByte
FDB024N04AL7 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FDB024N04AL7 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

FDB024N04 数据手册

FDB024N04AL7 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N04AL7  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1 V
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