FDB024N08BL7 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-7
描述:	MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDB024N08BL7 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	7 Pin
封装	TO-263-7
极性	N-CH
功耗	246 W
漏源极电压(Vds)	80 V
连续漏极电流(Ids)	229A
输入电容值(Ciss)	13530pF @40V(Vds)
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	246W (Tc)

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FDB024N08BL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.2 mm
宽度	9.4 mm
高度	4.7 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDB024N08BL7 符合标准

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Fairchild（飞兆/仙童）

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