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FDB0260N1007L
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FDB0260N1007L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB0260N1007L  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V 新
PDF文件:FDB0260N1007L 数据手册 (7 页)
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FDB0260N1007L 数据手册 (7 页)
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FDB0260N1007L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装TO-263-7
针脚数7 Position
漏源极电阻0.0023 Ω
极性N-Channel
功耗250 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)140A
输入电容值(Ciss)8545pF @50V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
耗散功率(Max)3.8W (Ta), 250W (Tc)
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FDB0260N1007L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDB0260N1007L 数据手册

FDB0260N1007L 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.35 MByte
FDB0260N1007L 产品设计参考手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.45 MByte
FDB0260N1007L 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
19 页 / 1.07 MByte
FDB0260N1007L 开发手册
Fairchild（飞兆/仙童）
15 页 / 1.95 MByte

FDB0260N1007 数据手册

FDB0260N1007L 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
FDB0260N1007L 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB0260N1007L  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V 新
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