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FDB0260N1007L
来自 AiPCBA

FDB0260N1007L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:D2PAK-263
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:FDB0260N1007L 数据手册 (8 页)
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FDB0260N1007L 数据手册 (8 页)
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FDB0260N1007L 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数7 Pin
封装D2PAK-263
针脚数7 Position
漏源极电阻0.0023 Ω
功耗3.8 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)6101pF @50V(Vds)
下降时间19 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3800 mW
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FDB0260N1007L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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FDB0260N1007L 数据手册

FDB0260N1007L 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.37 MByte
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4 页 / 0.11 MByte

FDB0260N1007 数据手册

FDB0260N1007L 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V
FDB0260N1007L 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB0260N1007L  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V 新
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