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FDB031N08
来自 AiPCBA

FDB031N08 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3
PDF文件:FDB031N08 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
FDB031N08 数据手册 (8 页)
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FDB031N08 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗375 W
漏源极电压(Vds)75 V
连续漏极电流(Ids)235A
上升时间191 ns
输入电容值(Ciss)15160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)375 W
下降时间121 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375W (Tc)
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FDB031N08 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度10.67 mm
宽度11.33 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDB031N08 数据手册

FDB031N08 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.54 MByte
FDB031N08 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FDB031N08 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.07 MByte

FDB031 数据手册

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