FDB045AN08A0_F085 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:	FDB045AN08A0_F085 数据手册 (11 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FDB045AN08A0_F085 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
通道数	1 Channel
极性	N-CH
功耗	310 W
漏源极电压(Vds)	75 V
连续漏极电流(Ids)	80A
上升时间	88 ns
输入电容值(Ciss)	6600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	310 W
下降时间	45 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	310W (Tc)

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FDB045AN08A0_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.67 mm
宽度	9.65 mm
高度	4.83 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDB045AN08A0_F085 符合标准

FDB045AN08A0_F085 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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Fairchild（飞兆/仙童）

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FDB045AN08A0 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB045AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

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Freescale（飞思卡尔）

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