类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263 |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
上升时间 | 158 ns |
输入电容值(Ciss) | 4960pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
下降时间 | 102 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 160 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 11.33 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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