| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 15.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.33 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 3.4 V |
| 输入电容 | 1.85 nF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15.0 A |
| 上升时间 | 5.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1850pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 11.33 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB15N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB15N50, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ
Hirose Electric（广濑）
FD型连接器用于带状电缆 FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
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