| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.077 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 235 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 33A |
| 上升时间 | 230 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2135pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 235 W |
| 下降时间 | 120 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 235W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 11.33 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB33N25TM, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB33N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V
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