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FDB3652
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FDB3652 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
PDF文件:FDB3652 数据手册 (13 页)封装尺寸在11 页12 页
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焊盘图
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FDB3652 数据手册 (13 页)
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FDB3652 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流61.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻0.014 Ω
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压4 V
输入电容2.88 nF
栅电荷41.0 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)61.0 A
上升时间85 ns
输入电容值(Ciss)2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max)150 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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FDB3652 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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FDB3652 数据手册

FDB3652 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
13 页 / 0.57 MByte
FDB3652 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FDB3652 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.07 MByte
FDB3652 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte
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