Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > FDC3612 Datasheet 文档
FDC3612
来自 AiPCBA

FDC3612 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:FDC3612 系列 100 V 125 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6
PDF文件:FDC3612 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDC3612 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDC3612 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.125 Ω
功耗1.6 W
阈值电压2.3 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间3.5 ns
输入电容值(Ciss)660pF @50V(Vds)
额定功率(Max)800 mW
下降时间3.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1600 mW
查看数据手册 >

FDC3612 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

FDC3612 数据手册

FDC3612 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.18 MByte
FDC3612 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.4 MByte
FDC3612 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.04 MByte
FDC3612 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.57 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet