| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -5.50 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 33 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 输入电容 | 1.93 nF |
| 栅电荷 | 19.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -5.50 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1926pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 60mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| P-Channel 1.8V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage Power Trench process. It has been optimized for battery power management applications. Applications • DC-DC converters • Load switch • Power management Features • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) 描述与应用| P沟道1.8V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道MOSFET的1.8V指定使用飞兆半导体的低电压功率沟槽过程。它已被优化的电池电源管理应用。 应用 •DC-DC转换器 •负荷开关 •电源管理 特点 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS（ON）
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC604P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC604P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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