| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 220 mA |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 4 Ω |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 900 mW |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 输入电容 | 9.50 pF |
| 栅电荷 | 490 pC |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 220 mA |
| 上升时间 | 4.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9.5pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| 220mA/0.22A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 4Ω@ VGS = 4.5V, ID = 0.4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.65~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 900mW/0.9W Description & Applications| Dual N-Channel , Digital FET General Description These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild "s proprietary,high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, these N-Channel FET"s can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors. Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits 描述与应用| 双N沟道，数字FET 概述 这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。这非常高密度的过程特别是针对减少已经设计的状态resistance.This设备的，尤其是低电压应用程序替换为数字晶体管。由于偏置电阻器不是必需的，这些N沟道FET的可以取代 一些数字晶体管，偏置电阻器的各种。 特点 非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3V电路
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
双N通道FET数字 Dual N-Channel , Digital FET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6301N.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 5 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 5 ohm, 4.5 V, 850 mV
Fairchild（飞兆/仙童）
双N通道FET数字 Dual N-Channel , Digital FET
National Semiconductor（美国国家半导体）
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