| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 680 mA |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 450 mΩ |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 900 mW |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 输入电容 | 50.0 pF |
| 栅电荷 | 1.64 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 680 mA |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.9 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.13 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
数字场效应管，双N沟道 Digital FET, Dual N-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6303N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor（安森美）
数字 FET，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
