类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 2.70 A |
封装 | TSOT-23-6 |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 80 mΩ |
极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
功耗 | 900 mW |
阈值电压 | 900 mV |
输入电容 | 310 pF |
栅电荷 | 3.50 nC |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
上升时间 | 8.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 310pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
下降时间 | 3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.96 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| 2.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 120mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.4~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 960mW/0.96W Description & Applications| Dual N-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description These N-Channel low threshold 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applications • Load switch • DC/DC converter • Motor driving Features • Low gate charge (3.5nC typical). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • SuperSOTTM-6 package: small footprint 描述与应用| 双N沟道2.5V额定功率沟槽MOSFET 概述 这些沟道低阈值2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程,已特别是针对减少通态电阻,但维持出色的开关性能低栅极电荷。 应用 •负荷开关 •DC/ DC转换器 •电机驱动 特点 •低栅极电荷(3.5nC典型值)。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极低的RDS(ON) •SuperSOTTM-6包装:占地面积小
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双N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6305N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6305N, 2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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