| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -2.20 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 极性 | Dual P-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 960 mW |
| 输入电容 | 337 pF |
| 栅电荷 | 3.70 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.20 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 337pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.96 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6310P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6310P, 2.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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