| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 5.50 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.023 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 输入电容 | 1.46 nF |
| 栅电荷 | 13.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.50 A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1460pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC645N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC645N, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SSOT封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
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