| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 35 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 输入电容 | 350 pF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.035Ω/Ohm @5999mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.6W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 10 V RDS(ON)= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
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