| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 漏源极电阻 | 23.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.30 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 830pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.035Ω/Ohm @6.3A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.6W Description & Applications| Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench TM MOSFET General Description This N-Channel Logic LevelMOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications whe 6.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.027 W @ VGS= 10 V RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 4.5 V. Fast switching. Low gate charge ( typical 9 nC). SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than SO-8); low p 描述与应用| 单N沟道逻辑电平，TM的PowerTrench MOSFET 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用 飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合于低电压和电池供电应用的磨片 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
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