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FDC855N
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FDC855N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC855N  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:FDC855N 数据手册 (6 页)
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FDC855N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.0207 Ω
极性N-Channel
功耗1.6 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)6.1A
上升时间2 ns
输入电容值(Ciss)655pF @15V(Vds)
额定功率(Max)800 mW
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.6W (Ta)
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FDC855N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3 mm
宽度1.7 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDC855N 数据手册

FDC855N 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.27 MByte
FDC855N 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.09 MByte
FDC855N 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
FDC855N 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.17 MByte

FDC855 数据手册

FDC855N 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC855N  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
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