| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 115 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.9A |
| 输入电容值(Ciss) | 1350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 115 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 115W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
12 页 / 0.7 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD13AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
FDD13AN06_F085: N 沟道，PowerTrench MOSFET，60V，50A，13.5mΩ
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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