类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 50.0 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.013 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 135 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 1.87 nF |
栅电荷 | 31.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
上升时间 | 54 ns |
输入电容值(Ciss) | 1874pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 135 W |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 135 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FDD16AN08A0 系列 75 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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