FDD18N20LZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
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FDD18N20LZ 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
极性	N-CH
功耗	89 W
漏源极电压(Vds)	200 V
连续漏极电流(Ids)	16A
上升时间	20 ns
输入电容值(Ciss)	1575pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	89 W
下降时间	50 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	89W (Tc)

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FDD18N20LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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Fairchild（飞兆/仙童）

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

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ON Semiconductor（安森美）

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