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FDD3670
来自 AiPCBA

FDD3670 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:FDD3670 数据手册 (5 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
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FDD3670 数据手册 (5 页)
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FDD3670 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.022 Ω
功耗3.8 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)2490pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1.6 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3800 mW
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FDD3670 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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FDD3670 数据手册

FDD3670 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.15 MByte
FDD3670 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.35 MByte
FDD3670 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.87 MByte
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